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        Nexperia推出大功率GaN場效應晶體管 具成本優勢

        蓋世汽車 Elisha

        據外媒消息報道,專家Nexperia采用硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)技術,推出第一款大功率GaN場效應晶體管。

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        Nexperia公司MOS分立式器件業務集團總經理Toni Versluijs表示:“Nexperia準備進軍高壓領域,因此推出這一戰略舉措。現在,我們能夠提供適用于電動汽車(xEV)功率半導體應用的技術。我們的GaN技術已經可以量產,滿足大批量應用。汽車行業是Nexperia關注的重點領域,隨著電動汽車取代傳統內燃機汽車,成為個人和公共交通的首選工具,預計未來20年該行業將顯著增長。”

        該工藝在大型硅襯底上生成GaN厚外延層,并獲得合適的外延性能,因此,可以利用標準的150mm晶圓生產線,進行初級生產,具有批量生產所需的可擴展性,以及成本優勢。

        650V GAN063-650WSA的柵極電壓為±20V,工作溫度在-55至+175°C之間。產品特色在于,導通電阻低至60 m?,可以減少損耗,支持頻率切換,提高電源效率。重要的是,該產品采用業內常用的標準TO-247封裝,更便于設計者操作,提升產品性能。

        GAN063-650WSA GaN場效應晶體管是Nexperia旗下GaN系列設備首款產品,適用于汽車、通信基礎設施和工業領域。

        來源:蓋世汽車

        作者: Elisha

        本文地址:http://www.wk932.com/news/qiye/105938

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